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    • 专利摘要:
    Einexemplarisches Array thermisch gestützter magnetischer Speicherstrukturenist dargelegt, wobei jede der magnetischen Speicherstrukturen eineSpeicherzellen, einen Schreibleiter, der die Speicherzelle kontaktiert,wobei der Schreibleiter die Speicherzelle in einer ersten Koordinatewährendeiner Schreiboperation auswählt,und ein Heizsystem, das die Speicherzelle kontaktiert, aufweist.Das Heizsystem erwärmtdie Speicherzelle währendder Schreiboperation und wähltdie Speicherzelle durch das Erwärmenin einer zweiten Koordinate aus.
    公开号:DE102004030587A1
    申请号:DE102004030587
    申请日:2004-06-24
    公开日:2005-06-02
    发明作者:Thomas C. Sunnyvale Anthony；Manoj K. Cupertino Bhattacharyya；Janice H. Sunnyvale Nickel
    申请人:Hewlett Packard Development Co LP；
    IPC主号:G11C11-15
    专利说明:
    [0001] EinSpeicherchip weist im allgemeinen eine Mehrzahl von Speicherzellenauf, die auf einem Siliziumwafer aufgebracht und über einArray von Spaltenleitungsleitungen (Bitleitungen) und Zeilenleitungsleitungen(Wortleitungen) adressierbar sind. Üblicherweise befindet sicheine Speicherzelle an dem Schnittpunkt einer Bitleitung und einerWortleitung. Die Speicherzellen werden durch spezialisierte Schaltungengesteuert, die Funktionen durchführen, wiez. B. ein Identifizieren von Zeilen und Spalten, von denen Datengelesen oder an die Daten geschrieben werden. Üblicherweise speichert jede SpeicherzelleDaten in der Form einer „1" oder einer „0", was ein Bit anDaten darstellt.
    [0002] EinArray magnetischer Speicherzellen kann als ein magnetischer Direktzugriffsspeicheroder MRAM bezeichnet werden. Ein MRAM ist im allgemeinen ein nichtflüchtigerSpeicher (d. h. ein Festkörperchip,der Daten beibehält,wenn eine Leistung ausgeschaltet wird). Zumindest ein Typ einermagnetischen Speicherzelle umfasst eine Datenschicht und eine Referenzschicht,die voneinander durch zumindest eine Zwischenschicht getrennt sind.Die Datenschicht kann auch als eine Bitschicht, eine Speicherungsschichtoder eine Leseschicht bezeichnet werden. In einer magnetischen Speicherzellekann ein Bit an Daten (z. B. eine „1" oder „0") durch ein „Schreiben" in die Datenschicht über eineoder mehrere leitende Anschlussleitungen (z. B. eine Bitleitung undeine Wortleitung) gespeichert werden. Eine typische Datenschichtkann aus einem oder mehreren ferromagnetischen Materialien hergestelltsein. Die Schreiboperation wird üblicherweise über einen Schreibstromerreicht, der die Ausrichtung des magnetischen Moments in der Datenschichtin eine vorbestimmte Richtung setzt.
    [0003] Sobaldes geschrieben wurde, kann das gespeicherte Bit an Daten durch einBereitstellen eines Lesestroms durch eine oder mehrere leitendeAnschlussleitungen (z. B. eine Leseleitung) an die magnetische Speicherzellegelesen werden. Fürjede Speicherzelle sind die Ausrichtungen der magnetischen Momenteder Datenschicht und der Referenzschicht entweder parallel (in dergleichen Richtung) oder antiparallel (in unterschiedlichen Richtungen) zueinander.Der Grad an Parallelitätbeeinflusst den Widerstandswert der Zelle und dieser Widerstandswertkann durch ein Lesen (z. B. übereinen Leseverstärker)eines Ausgangsstroms oder einer Ausgangsspannung, der/die durchdie Speicherzelle ansprechend auf den Lesestrom erzeugt wird, bestimmt werden.
    [0004] Insbesondereweist der basierend auf dem Ausgangsstrom bestimmte Widerstandswert,wenn die magnetischen Momente parallel sind, einen ersten relativenWert (z. B. relativ niedrig) auf. Wenn die magnetischen Momenteantiparallel sind, weist der bestimmte Widerstandswert einen zweitenrelativen Wert (z. B. relativ hoch) auf. Die relativen Werte der beidenZustände(d. h. parallel und antiparallel) unterscheiden sich üblicherweiseausreichend, um als unterschiedlich erfasst zu werden. Eine „1" oder eine „0" kann den jeweiligenrelativen Widerstandswerten abhängigvon einer Entwurfsspezifizierung zugewiesen werden.
    [0005] DieZwischenschicht, die auch als eine Abstandsschicht bezeichnet werdenkann, kann ein isolierendes Material (z. B. Dielektrikum), ein nicht-magnetischesleitendes Material und/oder weitere bekannte Materialien aufweisen.Die verschiedenen leitenden Anschlussleitungen, die zur Auswahlder Speicherzellen verwendet werden (z. B. Bitleitungen, Wortleitungenund Leseleitungen) und zur Bereitstellung von Strömen zumLaufen durch die Daten- und die Referenzschicht zum Lesen von Datenvon oder Schreiben von Daten in die Speicherzellen werden durcheine oder mehrere zusätzlicheSchichten, leitende Schichten genannt, bereitgestellt.
    [0006] Dieoben beschriebenen Schichten und ihre jeweiligen Charakteristikasind typisch fürmagnetische Speicherzellen, die auf Tunneleffektmagnetowiderstands-(CMR-) Effekten basieren, die in der Technik bekannt sind. WeitereKombinationen von Schichten und Charakteristika können ebensoverwendet werden, um magnetische Speicherzellen herzustellten, dieauf TMR-Effekten basieren. Siehe z. B. U.S.-Patent Nr. 6,404,674, übertragenan Anthony u. a., das hierin zu allen Zwecken in seiner Gesamtheit durchBezugnahme aufgenommen ist.
    [0007] WeitereKonfigurationen magnetischer Speicherzellen basieren auf weiterengut bekannten physischen Effekten (z. B. Effekt eines Riesen-Magnetowiderstands(GMR), eines anisotropen Magnetowiderstands (AMR), eines Kolossal-Magnetowiderstands(CMR) und/oder anderen physischen Effekten).
    [0008] Inder gesamten Anmeldung werden verschiedene exemplarische Ausführungsbeispielein Bezug auf die TMR-Speicherzellen, wie diese oben erst beschriebenwurden, beschrieben. Fachleute auf diesem Gebiet werden ohne weitereserkennen, dass die exemplarischen Ausführungsbeispiele auch mit weiterenTypen magnetischer Speicherzellen, die in der Technik bekannt sind(z. B. weiteren Typen von PMR-Speicherzellen, GMR-Speicherzellen, AMR-Speicherzellen,CMR-Speicherzellen, usw.), gemäß den Anforderungeneiner bestimmten Implementierung implementiert sein können.
    [0009] Beieinem herkömmlichenMRAM, wie er oben beschrieben wurde, befindet sich die magnetischeSpeicherzelle im allgemeinen an dem Schnittpunkt eines Paars orthogonalerMetallschreibleiter (d. h. einer Bitleitung und einer Wortleitung).Bei dieser Anordnung befinden sich die magnetischen Speicherzellenin einem guten thermischen Kontakt zu den Schreibleitern. Ein derartigerguter thermischer Kontakt hältdie Temperatur der magnetischen Speicherzellen niedrig, da in denmagnetischen Speicherzellen erzeugte Wärme schnell durch die Schreibleiterdissipiert wird. Wenn man jedoch die Temperatur der magnetischenSpeicherzellen erhöhenmöchte, wirdder gute thermische Kontakt zu einem Nachteil. Dies ist in einemthermisch gestütztenMRAM der Fall, bei dem die Temperatur einer ausgewählten Speicherzellein einer magnetischen Speicherzelle während einer Schreiboperationerhöhtwird, um ein Umschalten ihrer magnetischen Ausrichtung zu erleichtern.
    [0010] Sobesteht ein Markt fürverbesserte thermisch gestütztemagnetische Speicherstrukturen.
    [0011] Esist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Array thermischgestütztermagnetischer Speicherstrukturen, Verfahren oder ein nichtflüchtigesSpeicherarray mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
    [0012] DieseAufgabe wird durch ein Array gemäß Anspruch1, ein Verfahren gemäß Anspruch17 oder 22 oder ein Speicherarray gemäß Anspruch 34 gelöst.
    [0013] Einexemplarisches Array thermisch gestützter magnetischer Speicherstrukturenist dargelegt, wobei jede der magnetischen Speicherstrukturen eineSpeicherzelle, einen Schreibleiter, der die Speicherzelle kontaktiert,wobei der Schreibleiter die Speicherzelle in einer ersten Koordinatewährendeiner Schreiboperation auswählt,und ein Heizsystem, das die Speicherzelle kontaktiert, aufweist.Das Heizsystem erwärmtdie Speicherzelle währendder Schreiboperation und wähltdie Speicherzelle durch das Erwärmenin einer zweiten Koordinate aus.
    [0014] Einexemplarisches Verfahren zum Herstellen einer thermisch gestützten magnetischenSpeicherstruktur weist ein Bilden einer Speicherzelle, ein Bildeneines Schreibleiters, der die Speicherzelle kontaktiert, wobei derSchreibleiter die Speicherzelle in einer ersten Koordinate während einerSchreiboperation auswählt,und ein Bilden eines Heizsystems, das die Speicherzelle kontaktiert,auf. Das Heizsys tem erwärmtdie Speicherzelle währendder Schreiboperation und wähltdie Speicherzelle durch das Erwärmenin einer zweiten Koordinate aus.
    [0015] WeitereAusführungsbeispieleund Implementierungen sind ebenso unten beschrieben.
    [0016] BevorzugteAusführungsbeispieleder vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend aufdie beiliegenden Zeichnungen nähererläutert.Es zeigen:
    [0017] 1 einenexemplarischen Graphen einer Koerzivität gegenüber einer Temperatur einerexemplarischen thermisch gestütztenmagnetischen Speicherstruktur;
    [0018] 2 einenexemplarischen zeitlichen Verlauf einer Schreiboperation einer exemplarischen thermischgestütztenmagnetischen Speicherstruktur;
    [0019] 3 eineexemplarische thermisch gestütztemagnetische Speicherstruktur;
    [0020] 4 einexemplarisches Array thermisch gestützter magnetischer Speicherstrukturen,die ein erstes exemplarisches Heizsystem implementieren;
    [0021] 5 eineexemplarische thermisch gestütztemagnetische Speicherstruktur, die ein zweites exemplarisches Heizsystemimplementiert; und
    [0022] 6 eineweitere exemplarische thermisch gestützte magnetische Speicherstruktur,die ein drittes exemplarisches Heizsystem implementiert.
    [0023] Exemplarischeverbesserte thermisch gestütztemagnetische Speicherstrukturen sind hierin beschrieben.
    [0024] AbschnittII beschreibt eine exemplarische verbesserte thermisch gestützte magnetischeSpeicherstruktur.
    [0025] AbschnittIII beschreibt ein exemplarisches Array thermisch gestützter magnetischerSpeicherstrukturen, die ein erstes exemplarisches Heizsystem implementieren.
    [0026] AbschnittIV beschreibt eine exemplarische thermisch gestützte magnetische Speicherstruktur, dieein zweites exemplarisches Heizsystem implementiert.
    [0027] AbschnittV beschreibt eine weitere exemplarische thermisch gestützte magnetischeSpeicherstruktur, die ein drittes exemplarisches Heizsystem implementiert.
    [0028] Invielen herkömmlichenMRAMs wird eine „1" oder eine „0" in eine Speicherzellein einer einzelnen Speicherstruktur geschrieben, indem die magnetischeAusrichtung der Datenschicht in der Speicherzelle umgeschaltet wird.Die magnetische Ausrichtung wird üblicherweise durch die Vektorsummevon Magnetfeldern umgeschaltet, die aus Schreibströmen resultieren,die in zwei orthogonalen Schreibleitern (d. h. einer Bitleitungund einer Wortleitung), einer oberhalb und einer unterhalb der Speicherzelle, fließen. DieausgewählteSpeicherzelle erfährtein Bitleitungsfeld und ein Wortleitungsfeld, während andere Speicherzellenauf der ausgewähl tenZeile und Spalte nur entweder ein Bitleitungsfeld oder ein Wortleitungsfelderfahren.
    [0029] Ineinem thermisch gestützten(oder anderweitig herkömmlichen)MRAM wird eine ausgewählte Speicherzellekurz vor oder währendeiner Schreiboperation erwärmt.Als ein Ergebnis der erhöhtenWärme wirddie Koerzivität(d. h. die Leichtigkeit eines Umschaltens der magnetischen Ausrichtungder Speicherzelle) der erwärmtenSpeicherzelle reduziert und kleinere Umschaltmagnetfelder (und sokleinere Ströme)werden zum Schreiben dieser Speicherzelle benötigt. 1 stellteinen exemplarischen Graphen einer Koerzivität gegenüber einer Temperatur für eine thermischgestützteSpeicherzelle dar. Die bestimmten Daten in 1 sind lediglichexemplarisch und variieren abhängigvon der Zusammensetzung und weiteren Charakteristika der Speicherzelle.Im allgemeinen nimmt mit zunehmender Temperatur in der Speicherzellejedoch die Koerzivitätin der Speicherzelle allgemein ab.
    [0030] Soerfordert ein thermisch gestützterherkömmlicherMRAM im allgemeinen kleinere kombinierte x- und y-Felder zum Umschaltenals Speicherzellen in einem nicht thermisch gestützten herkömmlichen MRAM.
    [0031] Dieherkömmlichemagnetische Speicherstruktur kann durch ein Beseitigen eines der Schreibleiteraus den thermisch gestütztenMRAMs vereinfacht werden. Durch ein Anlegen von Wärme an eineausgewählteSpeicherzelle werden die erforderlichen Umschaltmagnetfelder während einer Schreiboperationreduziert. Solange eine ausgewählteSpeicherzelle ausreichend erwärmtist (d. h. auf eine Schwellentemperatur ohne ein nicht umkehrbaresVerändernder Magnetisierungsei genschaften), kann z. B. ein in einem Schreibleiterangelegter Schreibstrom ausreichen, um die magnetische Ausrichtungder erwärmtenSpeicherzelle umzuschalten, ohne die magnetische Ausrichtung nichterwärmter Speicherzellenauf dem ausgewähltenSchreibleiter umzuschalten.
    [0032] EinBeseitigen eines Schreibleiters kann außerdem eine Leistungsdissipierungreduzieren, Fertigungsprozesse vereinfachen, die Wahrscheinlichkeit vonSchreibfehlern in halb ausgewähltenSpeicherzellen reduzieren und/oder verschwendeten Strom auf nichtausgewähltenSpeicherzellen reduzieren.
    [0033] DieEnergiemenge, die zum Erwärmenvon Speicherzellen auf eine bestimmte Temperatur T benötigt wird,ist proportional zu der Anzahl ausgewählter Speicherzellen. So kann,wenn eine einzelne Speicherzelle ausgewählt ist, die Energiemenge,die zum Erwärmendieser ausgewähltenSpeicherzelle benötigtwird, sehr klein sein.
    [0034] Ineiner exemplarischen Implementierung kann eine bestimmte Speicherzelledurch ein Verwenden eines Schreibleiters zum Liefern eines Schreibstromsin der Spalte, in der sich die Speicherzelle befindet, und durchein Verwenden von Wärme zurAuswahl der Speicherzelle auf der passenden Zeile entlang dieserSpalte ausgewähltwerden. Die Koerzivitätder erwärmtenSpeicherzelle wird auf einen Pegel unterhalb des Pegels eines Feldesreduziert, das durch den Schreibstrom bereitgestellt wird, wohingegendie Koerzivitätender nicht erwärmten Speicherzellenoberhalb des bereitgestellten Felds liegen.
    [0035] 2 stellteinen exemplarischen zeitlichen Verlauf zum Schreiben einer Speicherzellein einem verbesserten thermisch gestützten MRAM dar. Die bestimmtenDaten in 2 sind lediglich exemplarischund variieren abhängigvon den Charakteristika der Speicherstruktur. Die durchgezogeneLinie zeigt den überdie Zeit angelegten Schreibstrom an. Die gestrichelte Linie zeigteine Erwärmungsleistung,die an die Speicherzelle angelegt wird, über die Zeit an. Die gepunkteteLinie zeigt den Anstieg und Abfall der Temperatur in der Speicherzelleaufgrund der angelegten Erwärmungsleistung über dieZeit an. Währendeiner Schreiboperation z. B. kann ein Spannungspuls an die Speicherzelleangelegt werden, währendein Schreibstrom in einem ausgewählten Schreibleiter(entlang der Spalte, in der sich die erwärmte Speicherzelle befindet)angelegt wird. Der Spannungspuls erwärmt die Speicherzelle auf eine Temperatur,derart, dass die Koerzivitätder Speicherzelle abnimmt. Währenddie Speicherzelle heiß ist,wird der Schreibstrom füreinen Zeitlängeangelegt, die ausreichend ist, um die Speicherzelle zu schreiben,und wird beibehalten, bis die Speicherzelle wieder in einen thermischstabilen Magnetisierungszustand heruntergekühlt ist.
    [0036] 3 stellteine exemplarische verbesserte thermisch gestützte magnetische Speicherstruktur 300 dar.Im allgemeinen kann eine Speicherstruktur in einer oben festgelegtenKonfiguration (wobei die Referenzschicht auf der Datenschicht ist)oder einer unten festgelegten Konfiguration (wobei die Referenzschichtunter der Datenschicht ist) hergestellt sein. Zur Erleichterungeiner Erklärungist nur die oben festgelegte Konfiguration in 3 gezeigtund nur auf diese wird in der Beschreibung verschiedener exemplarischerAusführungsbeispielehierin Bezug genommen. Ein Fachmann auf diesem Gebiet wird ohneweiteres erkennen, dass weitere Konfigurationen (z. B. unten festgelegt,usw.) unter Verwendung der hierin offenbarten exemplarischen Verfahrengemäß einerbestimmten Entwurfsanforderung implementiert werden können.
    [0037] Diemagnetische Speicherstruktur 300 umfasst einen Schreibleiter 310,eine Speicherzelle 350 (mit einer Datenschicht 320,einer Abstandsschicht 330 und einer Referenzschicht 340)und ein Heizsystem 360.
    [0038] Speicherstrukturen,die zusätzlicheSchichten aufweisen, sind ebenso in der Technik bekannt und können mitverschiedenen hierin zu beschreibenden Ausführungsbeispielen gemäß einerbestimmten Entwurfsauswahl implementiert werden. Eine weitere magnetischeSpeicherstruktur kann z. B. auch eine Keimschicht, eine antiferromagnetische (AFM-)Schicht, eine Schutzabdeckschicht und/oder weitere Schichten umfassen.Die Keimschicht verbessert eine Kristallausrichtung innerhalb der AFM-Schicht.Exemplarische Materialien füreine Keimschicht umfassen Ta, Ru, NiFe, Cu oder Kombinationen dieserMaterialien. Die AFM-Schicht verbessert eine magnetische Stabilität in derReferenzschicht 340. Exemplarische Materialien für eine AFM-Schichtumfassen IrMn, FeMn, NiMn, PtMn und/oder weitere bekannte Materialien.Die Schutzabdeckschicht schütztdie Datenschicht 320 vor der Umgebung (z. B. durch einReduzieren einer Oxidation der Datenschicht 320) und kannunter Verwendung jedes in der Technik bekannten geeigneten Materialsgebildet sein. Exemplarische Materialien für eine Schutzabdeckschichtumfassen Ta, TaN, Cr, Al, Ti und/oder weitere Materialien. Zur Erleichterungeiner Erläuterungsind diese zusätzlichenSchichten in den Figuren nicht gezeigt.
    [0039] WiederBezug nehmend auf 3 sind bei einer exemplarischenImplementierung der Schreibleiter 310 und das Heizsystem 360 orthogonalzueinander und werden fürSchreib- und Leseoperationenverwendet. Währendeiner Schreiboperation z. B. wähltein in einem ausgewähltenSchreibleiter 310 angelegter Schreibstrom wirksam eineSpalte von Speicherzellen aus und durch das Heizsystem 360 bereitgestellteWärme wählt denZeilenort der Speicherzelle entlang dieser ausgewählten Spalte aus.Die physische Konfiguration des Schreibleiters 310 unddes Heizsystems 360, die oben be schrieben sind, ist lediglichexemplarisch. Ein Fachmann auf diesem Gebiet wird ohne weitereserkennen, dass der Schreibleiter 310 und das Heizsystem 360 nicht notwendigerweiseorthogonal zueinander sein müssen,solange währendeiner Schreiboperation der Schreibleiter 310 die Speicherzelle 350 ineiner ersten Koordinate auswähltund das Heizsystem 360 die Speicherzelle 350 ineiner zweiten Koordinate durch ein Erwärmen der Speicherzelle 350 während der Schreiboperationauswählt.Die erste und die zweite Koordinate können in jedem Winkel relativzueinander positioniert sein.
    [0040] Während einerLeseoperation kann das Heizsystem 360 als ein Leseleiterverwendet werden und der Schreibleiter 310 kann als eineLeseleitung verwendet werden. Bei dieser exemplarischen Implementierungliefert das Heizsystem 360 einen kleinen Lesestrom an dieausgewählteSpeicherzelle 350 und ein Ausgangsstrom von der ausgewählten Speicherzelle 350 trittzu einem ausgewähltenSchreibleiter 310 aus, um an einen standardmäßigen Leseschaltungsaufbau(nicht gezeigt) zum Lesen des Widerstandswerts in der Speicherzelle 350 geliefertzu werden. Zusätzlicheexemplarische Heizsysteme sind unten in den Abschnitten III – V beschrieben.
    [0041] DerSchreibleiter 310 kann aus Cu, Al, AlCu, Ta, W, Au, Ag,Legierungen eines oder mehrerer der obigen Materialien und/odereinem oder mehreren weiteren leitenden Materialien und Legierungenhergestellt sein. Der Schreibleiter 310 kann durch eine Aufbringungs-oder weitere in der Technik bekannte Techniken (z. B. Zerstäuben, Verdampfung,Elektroplattieren, usw.) gebildet sein. Der Schreibleiter 310, wiein 3 gezeigt, ist lediglich darstellend. Fachleuteauf diesem Gebiet werden erkennen, dass weitere Konfigurationenebenso gemäß einerbestimmten Entwurfsauswahl implementiert sein können. Der Schreibleiter 310 kannz. B. zumindest teilweise durch ein ferromagnetisches Umhüllungsmaterial umhüllt sein,der Schreibleiter 310 kann thermisch von der Speicherzelledurch ein isolierendes Material (z. B. Die lektrikum, Luft, Vakuum,usw.) isoliert sein, usw. Wenn eine Umhüllung implementiert ist, kann dieUmhüllungeines oder mehrere Materialien aufweisen, die eine geringe Wärmeleitfähigkeit(z. B. amorpher metallischer dotierter Halbleiter und/oder weitereMaterialien oder Legierungen) und/oder ferromagnetische Eigenschaftenaufweisen. Zusätzlich kanndie Speicherzelle 350 einen elektrischen Kontakt zu einemAbschnitt der Umhüllungstatt zu dem Schreibleiter 310 herstellen, um eine Wärmeübertragungdurch den Schreibleiter 310 zu reduzieren.
    [0042] EinSchreiben der Speicherzelle 350 unter Verwendung eineseinzelnen bzw. einzigen Schreibleiters 310 schließt eineVerwendung von Magnetfeldern, die durch weitere Schichten nahe der ausgewählten Speicherzelle 350 erzeugtwerden, zur Unterstützungdes Schreibvorgangs nicht aus. Wenn z. B. ein kleiner Strom über dasHeizsystem 360 angelegt wird, um die Speicherzelle 350 zuerwärmen, resultierenkleine Magnetfelder aus diesem Strom. Die durch das Heizsystem 360 erzeugtenMagnetfelder könnenmit den Magnetfeldern kombiniert werden, die durch den Schreibstromin dem Schreibleiter erzeugt werden, um die Speicherzelle zu beschreiben.Der kleine Anstieg der Magnetfelder von dem Heizsystem 360 kannunter Umständeneine Reduzierung des Schreibstroms, der in dem Schreibleiter 310 während einerSchreiboperation benötigtwird, unterstützen.Ein Fachmann auf diesem Gebiet wird ohne weiteres erkennen, dassweitere Konfigurationen ebenso gemäß einer bestimmten Entwurfsauswahlimplementiert werden können.
    [0043] Beieiner exemplarischen Implementierung kann das Heizsystem 360 einenLeiter aufweisen, der die Speicherzelle 350 und/oder weitereKomponenten (z. B. Standardumschaltschaltungsaufbau und/oder andereKonfigurationen) zum Zuführenvon Energie (z. B. einem Strom) zum Erwärmen der Speicherzelle 350 kontaktiert.Der in einem Heizsystem 360 implementierte Leiter kanneines oder mehrere von Ti, Cu, Al, AlCu, Ta, W, Legierungen einesoder mehrerer der obigen und/oder eines oder mehrere weitere leitendeMaterialien und Legierungen aufweisen. Das Heizsystem 360 kannauch einen Standardschaltungsaufbau (nicht gezeigt) zum Steuerneiner Energie (z. B. Menge, Dauer, Zeitgebung, usw.) aufweisen,die zum Erwärmender Speicherzelle 350 verwendet werden soll. Wenn das Heizsystem 360 alsein Leseleiter verwendet wird, ermöglicht es der Standardschaltungsaufbauunter Umständen,dass ein Lesestrom währendLeseoperationen an die Speicherzelle 350 angelegt werdenkann. Das Heizsystem 360 kann mit einer einzelnen Speicherzelle odermehreren Speicherzellen verbunden sein. Verschiedene exemplarischeHeizsysteme 360 sind unten in den Abschnitten III – V beschrieben.Das Heizsystem 360 kann auch gemäß weiteren bekannten Technikenimplementiert sein. Siehe z. B. US-Patentanmeldung mit dem Titel „Thermally-AssistedSwitching of Magnetic Memory Elements" (Thermisch gestütztes Umschalten magnetischerSpeicherelemente), von Nickel u. a., die hierin zu allen Zwecken durchBezugnahme aufgenommen ist.
    [0044] DieDatenschicht 320 kann eines oder mehrere ferromagnetischeMaterialien aufweisen. Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispielumfassen ferromagnetische Materialien, die für die Datenschicht 320 geeignetsind, ohne EinschränkungNiFe, NiFeCo, CoFe, amorphe ferromagnetische Legierungen (z. B.CoZrNb, CoFeB) und weitere Materialien. Bei einer exemplarischenImplementierung weist die Datenschicht 320 einen Ferromagneten(FM) auf, der in Kontakt mit einem Antiferromagneten (AFM) steht. Durchein Koppeln einer FM-Schichtmit einer AFM-Schicht kann eine erwünschte Temperaturabhängigkeitvon der Datenschichtkoerzivitäterhalten werden. Eine hohe Koerzivität kann z. B. bei Raumtemperaturaufgrund einer großenFM-AFM-Austauschanisotropie erzielt werden. Eine hohe Raumtemperaturkoerzivität kann einunbeabsichtigtes Schreiben nichtausgewählter Speicherzellen auf ausgewählten Zeilenund/oder Spalten verhindern. Beispiele von AFM-Materialien umfassenohne EinschränkungIridium-Mangan (IrMn),Eisen-Mangan (FeMn), Nickel-Mangan (NiMn), Nickel-Oxid (NiO) undPlatin-Mangan (PtMn) und/oder weitere Materialien.
    [0045] Beieinem exemplarischen Ausführungsbeispielist die Abstandsschicht 330 eine Tunnelbarriereschicht(z. B. wenn die Speicherzelle 350 eine TMR-Speicherzelleist). Bei diesem Ausführungsbeispielkann die Abstandsschicht 330 aus SiO2,SiNx, MgO, Al2O3, AlNx und/oderweiteren isolierenden Materialien hergestellt sein.
    [0046] Beieinem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel ist die Abstandsschicht 330 eine nicht-magnetischeleitende Schicht (z. B. wenn die Speicherzelle 350 eineGMR-Speicherzelle ist). Bei diesem Ausführungsbeispiel kann die Abstandsschicht 330 ausCu, Au, Ag und/oder weiteren nichtmagnetischen leitenden Materialienhergestellt sein.
    [0047] DieReferenzschicht 340 kann eine einzelne Schicht eines Materialsoder mehrere Schichten von Materialien aufweisen. Die Referenzschicht 340 kann z.B. eines oder mehrere ferromagnetische Materialien aufweisen. Beieinem exemplarischen Ausführungsbeispielumfassen ferromagnetische Materialien, die für die Referenzschicht 340 geeignetsind, NiFe, NiFeCo, CoFe, amorphe ferromagnetische Legierungen (z.B. CoZrNb, CoFeB) und weitere Materialien.
    [0048] 4 stelltein exemplarisches Array thermisch gestützter magnetischer Speicherstrukturen 400,die ein erstes exemplarisches Heizsystem implementieren, dar. DasArray 400 umfasst Schreibleiter 310a, 310b,Speicherzellen 350a – 350d,die die Schreibleiter 310a, 310b kontaktieren,und Heizsysteme 360a, 360b, die die Speicherzellen 350a – 350d kontaktieren.Bei dieser exemplarischen Implementierung weisen die Heizsysteme 360a, 360b Heizerleitungenauf, die orthogonal zu den Schreibleitern 310a, 310b sind.Jede Heizerleitung liefert Wärmean zumindest eine Speicherzelle 350a – 350d in dem Array 400,z. B. währendeiner Schreiboperation. Die Heizerleitungen können mit einem Standardschaltungsaufbau(nicht gezeigt) zum Steuern der Zeitgebung und der Menge an Energie,die an eine oder mehrere Speicherzellen 350a – 350d angelegtwird, verbunden sein. Der Standardschaltungsaufbau zum Steuern derHeizerleitungen ist in der Technik bekannt und muss hierin nichtdetaillierter beschrieben werden. Siehe z. B. U.S.-Patent Nr. 6,603,678B2, auf das oben Bezug genommen wurde.
    [0049] Während einerSchreiboperation läuftein Schreibstrom in einem ausgewähltenSchreibleiter 310a und ein Heizerstrom wird an eine ausgewählte Heizerleitung 360a angelegt,um die Leitung zu erwärmen(und die Speicherzellen 350a und 350b benachbartzu dieser Leitung). Auf diese Weise wird die Speicherzelle 350a,die sich an dem Schnittpunkt des ausgewählten Schreibleiters 310a undder ausgewähltenHeizerleitung 360a befindet, ausgewählt und beschrieben. Die Speicherzelle 350a sollteausreichend erwärmtwerden, so dass das Magnetfeld, das durch den Schreibstrom in demausgewählten Schreibleiter 310a erzeugtwird, ausreicht, um die magnetische Ausrichtung der Speicherzelleumzuschalten. Die Speicherzelle 350a sollte jedoch nicht überhitztwerden, so dass ihre Magnetisierungseigenschaften sich irreversibelverändern.Bei einer exemplarischen Implementierung kann der Schreibstrom für eine bestimmteZeit währendeiner Schreiboperation beibehalten werden, bis die beschriebeneSpeicherzelle 350a auf eine magnetisch stabile Temperaturabkühlt.
    [0050] Beidem in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel teilen sichmehrere Speicherzellen eine Heizerleitung, so dass mehr als eineSpeicherzelle während einerSchreiboperation eine erhöhteTemperatur erfährt.Bei diesem exemplarischen Ausführungsbeispielkann es wirksam sein, alle Speicherzellen entlang der erwärmten Zeilegleichzeitig zu beschreiben. Bezug nehmend auf 4 z.B. werden die Speicherzellen 350a und 350b erwärmt, wenndie Heizerleitung 360a einen Heizerstrom zieht. Um beideSpeicherzellen zu beschreiben, wird ein Schreibstrom gleichzeitigan die Schreibleiter 310a und 310b angelegt. DieRichtung des Schreibstroms in den Leitern 310a und 310b bestimmtden magnetischen Zustand der beschriebenen Speicherzellen.
    [0051] Während einerLeseoperation wirken die Schreibleiter 310a, 310b unddie Heizerleitungen 360a, 360b als Leseleitungen.Um z. B. die Speicherzelle 350a zu lesen, wird ein kleinerLesestrom an eine ausgewählteHeizerleitung 360a, durch die Speicherzelle 350a unddurch einen ausgewählten orthogonalenSchreibleiter 310a angelegt. Der Strom durch die ausgewählte Speicherzelle 350a hängt von demmagnetischen Zustand (d. h. dem Widerstandswert) der Speicherzelle 350a ab.So wird die Speicherzelle 350a, die sich an dem Schnittpunktder ausgewähltenHeizerleitung 360a und des ausgewählten Schreibleiters 310a befindet,gelesen.
    [0052] 5 stellteine exemplarische thermisch gestützte magnetische Speicherstruktur 500,die ein zweites exemplarisches Heizsystem implementiert, dar. DieSpeicherstruktur 500 umfasst einen Schreibleiter 310,eine Speicherzelle 350, die den Schreibleiter 310 kontaktiert,und ein Heizsystem 360, das die Speicherzelle 350 kontaktiert.Bei dieser exemplarischen Implementierung weist das Heizsystem 360 einenLeseleiter 510 auf, der durch eine Stütze 520 mit einemUmschaltschaltungsaufbau (nicht gezeigt) unter der Speicherstruktur 500 verbundenist. Ein zusätzlicherUmschaltschaltungsaufbau (nicht gezeigt), der sowohl zum Lesen als auch zumSchreiben verwendet wird, ist mit dem Leiter 310 verbunden.
    [0053] Beieiner exemplarischen Implementierung kann ein Zugriff auf jede Speicherzelle 350 durch eineseparate Umschaltschaltung, die schnittstellenmäßig mit der Stütze 520 verbundenist, gesteuert werden. Bei einer weiteren exemplarischen Implementierungkann ein Zugriff auf mehrere Speicherzellen 350 durch eineUmschaltschaltung gesteuert werden, die schnittstellenmäßig mitder Stütze 520 verbundenist. Je mehr Speicherzellen durch eine bestimmte Umschaltschaltunggesteuert werden, desto größer mussdie Flächeeines zusätzlichenSchaltungsaufbaus unter den Speicherzellen gebildet werden. DieAnzahl von Speicherzellen, die durch eine Umschaltschaltung gesteuertwerden sollen, hängt voneiner Entwurfsauswahl ab.
    [0054] Beieiner exemplarischen Implementierung weist die Umschaltschaltung,die schnittstellenmäßig mitder Stütze 520 verbundenist, zumindest einen Transistor auf, der einen Strom ein-/ausschaltet,der währendLese-/Schreiboperationen an die Speicherzelle 350 angelegtwerden soll. Währendeiner Schreiboperation schaltet die Umschaltschaltung z. B. einenStrom ein, der überdie Stütze 520 undden Leseleiter 510 an die Speicherzelle 350 angelegt werdensoll, um ein Erwärmenin der Speicherzelle 350 zu aktivieren. Der angelegte Stromreicht aus, um die Speicherzelle 350 auf eine erhöhte Temperaturzu erwärmen,so dass Magnetfelder, die durch einen in dem Schreibleiter 310 angelegtenStrom erzeugt werden, die magnetische Ausrichtung der Speicherzelle 350 umschaltenkönnen.Die Speicherzelle 350 sollte jedoch nicht überhitztwerden, so dass sich ihre Magnetisierungseigenschaften irreversibelverändern.Bei einer exemplarischen Implementierung kann der Schreibstrom für eine bestimmteZeit währendeiner Schreiboperation beibehalten werden, bis die beschriebeneSpeicherzelle 350 auf eine magnetisch stabile Temperaturabkühlt.
    [0055] Während einerLeseoperation schaltet die Umschaltschaltung einen kleinen Stromein, der über dieStütze 520 undden Leseleiter 510 an die Speicherzelle 350 angelegtwerden soll, um den Widerstandswert in der Speicherzelle 350 zubestimmen. Bei einer exemplarischen Implementierung tritt der während einerLeseoperation an die Speicherzelle 350 angelegte Stromdurch den Schreibleiter 310 aus, der während der Leseoperation alseine Leseleitung wirkt und mit einem Standard-Lese-Schaltungsaufbau(nicht gezeigt) verbunden ist.
    [0056] 6 stellteine exemplarische thermisch gestützte magnetische Speicherstruktur 600,die ein drittes exemplarisches Heizsystem implementiert, dar. DieSpeicherstruktur 600 umfasst einen Schreibleiter 310,eine Speicherzelle 350, die den Schreibleiter 310 kontaktiert,und ein Heizsystem 360, das die Speicherzelle 350 kontaktiert.Bei dieser exemplarischen Implementierung weist das Heizsystem 360 einenHeizer 610, der sich in Serie zu der Speicherzelle 350 befindet,und einen Leseleiter 620 auf, der den Heizer 610 kontaktiertund mit einem Umschaltschaltungsaufbau (nicht gezeigt) zum Steuernvon Strömen,die an die Speicherzelle 350 angelegt werden sollen, verbundenist. Exemplarische Strukturen fürden Heizer 610 umfassen ohne Einschränkung eine isolierende Tunnelbarriere,eine halbleiterreiche Isolatorschicht, eine Halbleiterschicht, eineSchicht mit hohem Widerstandswert und/oder weitere Strukturen. ExemplarischeMaterialien füreine isolierende Tunnelbarriere sind AlOx, AlNx, SiOx, SiNx undMgO, füreinen halbleiterreichen Isolator siliziumreiche Oxide und siliziumreiche Nitride,für eineHalbleiterschicht Silizium und Germanium und für eine Schicht mit hohem WiderstandswertTaSiN, WSiN, TaN und WN. Bei einer exemplarischen Implemen tierungist der Widerstandswert des Heizers 610 in dem Lesemodusausreichend klein (z. B. weniger als 50 % des Widerstandswerts dermagnetischen Speicherzelle), um einen dem Heizerserienwiderstandswertzugeordneten Signalverlust zu minimieren. In dem Schreibmodus kannder Widerstandswert des Heizers größer als der der Speicherzellesein.
    [0057] Beieiner exemplarischen Implementierung kann jede Speicherzelle 350 durcheine separate Umschaltschaltung gesteuert werden. Bei einer weiterenexemplarischen Implementierung könnenmehrere Speicherzellen durch eine gemeinsame Umschaltschaltung gesteuertwerden. Die Umschaltschaltungen können sich an den äußeren Rändern desArrays von Speicherzellen oder unterhalb der Speicherzellen befinden.
    [0058] Beieiner exemplarischen Implementierung weist die Umschaltschaltungzumindest einen Transistor auf, der einen Strom ein-/ausschaltet,der währendLese-/Schreiboperationen an die Speicherzelle 350 angelegtwerden soll. Währendeiner Schreiboperation schaltet die Umschaltschaltung z. B. einen Stromein, der überden Leseleiter 620 an den Heizer 610 angelegtwerden soll. Der angelegte Strom kann ausreichend sein, um den Heizer 610 aufeine erhöhteTemperatur zu erwärmen.Die Speicherzelle 350 selbst kann auch selbsterwärmend sein.Die durch den Heizer 610 bereitgestellte Wärme (inKombination mit der durch die Speicherzelle 350 erzeugten Wärme) erhöht die Temperaturin der Speicherzelle 350, so dass Magnetfelder, die durcheinen Schreibstrom erzeugt werden, der in dem Schreibleiter 310 angelegtwird, die magnetische Ausrichtung der Speicherzelle 350 umschaltenkönnen.Die Speicherzelle 350 sollte jedoch nicht überhitztwerden, so dass sich ihre magnetischen Eigenschaften irreversibelverändern.Bei einer exemplarischen Implementierung kann der Schreibstrom während einerSchreiboperation füreinige Zeit beibehalten werden, bis die beschriebene Speicherzelle 350 aufeine magnetisch stabile Temperatur abkühlt.
    [0059] Während einerLeseoperation schaltet die Umschaltschaltung einen kleinen Stromein, der über denLeseleiter 620 an die Speicherzelle 350 angelegt werdensoll, um den Widerstandswert in der Speicherzelle 350 zubestimmen. Bei einer exemplarischen Implementierung tritt der während einerLeseoperation an die Speicherzelle 350 angelegte Strom durchden Schreibleiter 310 aus, der während der Leseoperation alseine Leseleitung wirkt und mit einem Standard-Lese-Schaltungsaufbau (nicht gezeigt)verbunden ist.
    [0060] Dievorangegangenen Beispiele stellen bestimmte exemplarische Ausführungsbeispieledar, von denen ausgehend weitere Ausführungsbeispiele, Variationenund Modifizierungen fürFachleute auf diesem Gebiet ersichtlich sind. Die Erfindungen sollendeshalb nicht auf die oben erläutertenbestimmten Ausführungsbeispieleeingeschränktsein, sondern sind vielmehr durch die Ansprüche definiert.
    权利要求:
    Claims (34)
    [1] Array thermisch gestützter magnetischer Speicherstrukturen,wobei jede der magnetischen Speicherstrukturen folgende Merkmaleaufweist: eine Speicherzelle (350); einen Schreibleiter(310), der die Speicherzelle kontaktiert, wobei der Schreibleiterdie Speicherzelle in einer ersten Koordinate während einer Schreiboperationauswählt;und ein Heizsystem (360), das die Speicherzelle kontaktiert,wobei das Heizsystem: die Speicherzelle während der Schreiboperationerwärmt;und die Speicherzelle durch das Erwärmen in einer zweiten Koordinateauswählt.
    [2] Magnetische Speicherstruktur gemäß Anspruch 1, bei der zumindestein Abschnitt des Schreibleiters (310) durch eine Umhüllung umgeben ist.
    [3] Magnetische Speicherstruktur gemäß Anspruch 2, bei der die Umhüllung einferromagnetisches Material aufweist.
    [4] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis3, bei der der Schreibleiter (310) konfiguriert ist, umwährendeiner Leseoperation als eine Leseleitung zu wirken.
    [5] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis4, bei der die Speicherzelle (350) eine Datenschicht (320),eine Abstandsschicht (330) und eine Referenzschicht (340)aufweist.
    [6] Magnetische Speicherstruktur gemäß Anspruch 5, bei der die Koerzivität der Datenschicht (320)reduziert ist, wenn die Temperatur der Datenschicht erhöht ist.
    [7] Magnetische Speicherstruktur gemäß Anspruch 5 oder 6, bei derdie Datenschicht eine ferromagnetische Schicht aufweist, die eineantiferromagnetische Schicht kontaktiert.
    [8] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis7, bei der das Heizsystem es ermöglicht,dass die Speicherzelle (350) eine erhöhte Temperatur erreicht, umein Umschalten einer magnetischen Ausrichtung der Speicherzelledurch einen Schreibstrom, der in dem Schreibleiter anlegt wird,zu erleichtern.
    [9] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis8, bei der Magnetfelder, die durch das Heizsystem (360)erzeugt werden, mit Magnetfeldern kombiniert werden, die durch einen Schreibstromerzeugt werden, der währendeiner Schreiboperation in dem Schreibleiter angelegt wird, um einemagnetische Ausrichtung der Speicherzelle umzuschalten.
    [10] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis9, bei der das Heizsystem eine Heizerleitung aufweist.
    [11] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis10, bei der das Heizsystem einen Leseleiter und eine Umschaltschaltungaufweist.
    [12] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis11, bei der das Heizsystem (360) konfiguriert ist, um während einerLeseoperation als ein Leseleiter zu wirken.
    [13] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis12, bei der das Heizsystem einen Heizer, einen Leseleiter und eineUmschaltschaltung aufweist.
    [14] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis13, bei der das Heizsystem einen Heizer in Serie zu der Speicherzelle(350) aufweist.
    [15] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis14, bei der das Heizsystem die magnetische Speicherzelle aufweist.
    [16] Magnetische Speicherstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis15, bei der das Heizsystem eine Mehrzahl von Speicherzellen kontaktiert.
    [17] Verfahren zum Schreiben von Daten in eine thermischgestütztemagnetische Speicherzelle in einem Array von Speicherzellen, mitfolgenden Schritten: Erwärmeneiner ausgewähltenSpeicherzelle (350); Anlegen eines Schreibstroms durcheinen einzelnen Schreibleiter, der benachbart zu der ausgewählten Speicherzelleist, wobei der Schreibstrom ein Magnetfeld erzeugt, um den magnetischenZustand der ausgewähltenSpeicherzelle umzuschalten; und Entfernen des Schreibstromsaus der ausgewählten Speicherzelle.
    [18] Verfahren gemäß Anspruch17, bei dem das Erwärmenein Anlegen eines Stroms durch die ausgewählte Speicherzelle (350)aufweist.
    [19] Verfahren gemäß Anspruch17 oder 18, bei dem das Erwärmenein Anlegen eines Stroms durch eine Heizerleitung aufweist.
    [20] Verfahren gemäß einemder Ansprüche17 bis 19, bei dem das Erwärmenein Erhöhender Temperatur der ausgewähltenSpeicherzelle (350) aufweist, so dass der Schreibstromdurch den einzelnen Schreibleiter ausreicht, um den magnetischenZustand der ausgewähltenSpeicherzelle umzuschalten.
    [21] Verfahren gemäß einemder Ansprüche17 bis 20, bei dem der Schreibstrom beibehalten wird, bis die ausgewählte Speicherzelleauf eine magnetisch stabile Temperatur abkühlt.
    [22] Verfahren zum Herstellen einer thermisch gestützten magnetischenSpeicherstruktur, mit folgenden Schritten: Bilden einer Speicherzelle(350); Bilden eines Schreibleiters (310),der die Speicherzelle kontaktiert, wobei der Schreibleiter die Speicherzellein einer ersten Koordinate währendeiner Schreiboperation auswählt;und Bilden eines Heizsystems (360), das die Speicherzellekontaktiert, wobei das Heizsystem: die Speicherzelle während derSchreiboperation erwärmt;und die Speicherzelle durch das Erwärmen in einer zweiten Koordinateauswählt.
    [23] Verfahren gemäß Anspruch22, bei dem zumindest ein Abschnitt des Schreibleiters (310)durch eine Umhüllungumgeben ist.
    [24] Verfahren gemäß Anspruch23, bei dem die Umhüllungein ferromagnetisches Material aufweist.
    [25] Verfahren gemäß einemder Ansprüche22 bis 24, bei dem der Schreibleiter (310) konfiguriertist, um währendeiner Leseoperation als eine Leseleitung zu wirken.
    [26] Verfahren gemäß einemder Ansprüche22 bis 25, bei dem das Bilden der Speicherzelle (350) einBilden einer Datenschicht (320), ein Bilden einer Abstandsschicht(330), die die Datenschicht kontaktiert, und ein Bildeneiner Referenzschicht (340), die die Abstandsschicht kontaktiert,aufweist.
    [27] Verfahren gemäß einemder Ansprüche22 bis 26, bei dem das Heizsystem (360) es ermöglicht, dassdie Speicherzelle (350) eine erhöhte Temperatur erreicht, umein Umschalten der magnetischen Ausrichtung der Speicherzelle durcheinen in dem Schreibleiter anlegten Schreibstrom zu erleichtern.
    [28] Verfahren gemäß einemder Ansprüche22 bis 27, bei dem durch das Heizsystem (360) erzeugte Magnetfeldermit Magnetfeldern kombiniert werden, die durch einen Schreibstromerzeugt werden, der währendeiner Schreiboperation in dem Schreibleiter (310) angelegtwird, um eine magnetische Ausrichtung der Speicherzelle umzuschalten.
    [29] Verfahren gemäß einemder Ansprüche22 bis 28, bei dem das Bilden eines Heizsystems (360) einBilden einer Heizerleitung aufweist.
    [30] Verfahren gemäß einemder Ansprüche22 bis 29, bei dem das Bilden eines Heizsystems (360) einBilden eines Leseleiters und ein Bilden einer Umschaltschaltung,die mit dem Leseleiter verbunden ist, aufweist.
    [31] Verfahren gemäß einemder Ansprüche22 bis 30, bei dem das Heizsystem konfiguriert ist, um während einerLeseoperation als ein Leseleiter zu wirken.
    [32] Verfahren gemäß einemder Ansprüche22 bis 31, bei dem das Bilden eines Heizsystems ein Bilden einesHeizers, ein Bilden eines Leseleiters, der den Heizer kontaktiert,und ein Bilden einer Umschaltschaltung, die mit dem Leseleiter verbunden ist,aufweist.
    [33] Verfahren gemäß einemder Ansprüche22 bis 32, bei dem das Bilden eines Heizsystems ein Aktivieren desHeizsystems, um Wärmean zumindest eine Speicherzelle (350) zu liefern, aufweist.
    [34] NichtflüchtigesSpeicherarray, das eine Mehrzahl thermisch gestützter magnetischer Speicherstrukturenaufweist, wobei jede der magnetischen Speicherstrukturen durch einVerfahren hergestellt ist, das folgende Schritte aufweist: Bildeneiner Speicherzelle (350); Bilden eines Schreibleiters(310), der die Speicherzelle kontaktiert, wobei der Schreibleiterdie Speicherzelle in einer ersten Koordinate während einer Schreiboperationauswählt;und Bilden eines Heizsystems (360), das die Speicherzellekontaktiert, wobei das Heizsystem: die Speicherzelle während derSchreiboperation erwärmt;und die Speicherzelle durch das Erwärmen in einer zweiten Koordinateauswählt.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US6819586B1|2004-11-16|
    JP2005129945A|2005-05-19|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-06-02| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2007-04-19| 8139| Disposal/non-payment of the annual fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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